MZ0912B50Y

Herst.Teilenummer
MZ0912B50Y
Hersteller
Rochester Electronics
Paket/Fall
-
Datenblatt
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Beschreibung
RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
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Hersteller :
Rochester Electronics
Produktkategorie :
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Current - Collector (Ic) (Max) :
3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
-
Frequency - Transition :
1.215GHz
Gain :
8dB
Mounting Type :
Chassis Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) :
-
Operating Temperature :
200°C (TJ)
Package / Case :
SOT-443A
Part Status :
Active
Power - Max :
150W
Supplier Device Package :
SOT443A
Transistor Type :
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
20V
Datenblätter
MZ0912B50Y

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