BD277

Herst.Teilenummer
BD277
Hersteller
Rochester Electronics
Paket/Fall
-
Datenblatt
Download
Beschreibung
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
* Menge

Fordern Sie ein Angebot an (RFQ)

* Kontaktname:
* Gesellschaft:
* Email:
* Telefon:
* Kommentar:
* Captcha:
loading...
Hersteller :
Rochester Electronics
Produktkategorie :
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
7 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 1.75A, 2V
Frequency - Transition :
10MHz
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Part Status :
Active
Power - Max :
70 W
Supplier Device Package :
TO-220
Transistor Type :
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
500mV @ 100mA, 1.75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
45 V
Datenblätter
BD277

Herstellerbezogene Produkte

Katalogbezogene Produkte

Verwandte Produkte

Teil Hersteller Aktie Beschreibung
BD27400GUL-E2 ROHM Semiconductor 22,550 IC AMP CLASS D MONO 2.5W 9VCSP