NDS36PT5-16ET TR

Изготовитель Деталь №
NDS36PT5-16ET TR
Производитель
Insignis Technology Corporation
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
Insignis Technology Corporation
категория продукта :
объем памяти
Access Time :
-
Clock Frequency :
166 MHz
Memory Format :
DRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
256Mb (16M x 16)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Part Status :
Active
Supplier Device Package :
54-TSOP II
Technology :
SDRAM
Voltage - Supply :
3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page :
12ns
Спецификации
NDS36PT5-16ET TR

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
NDS331N onsemi 50,000 MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
NDS331N_D87Z onsemi 50,000 MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
NDS332P onsemi 50,000 MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
NDS335N Rochester Electronics 1,122,220 MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
NDS335N onsemi 50,000 MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
NDS336P Rochester Electronics 146,320 MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
NDS336P onsemi 50,000 MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
NDS351AN onsemi 50,000 MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
NDS351N Rochester Electronics 50,000 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
NDS351N Rochester Electronics 50,000 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
NDS351N onsemi 50,000 MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
NDS352AP onsemi 50,000 MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
NDS352P Rochester Electronics 313,550 MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
NDS352P onsemi 50,000 MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
NDS355AN onsemi 50,000 MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3