GD2X100MPS06N

Изготовитель Деталь №
GD2X100MPS06N
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
650V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
GeneSiC Semiconductor
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Массивы
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
108A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 650 V
Diode Configuration :
2 Independent
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
SOT-227-4, miniBLOC
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
SOT-227
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.8 V @ 100 A
Спецификации
GD2X100MPS06N

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
GD2X100MPS12N GeneSiC Semiconductor 50,000 1200V 200A SOT-227 SIC SCHOTTKY
GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor 50,000 650V 60A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor 50,000 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor 50,000 DIODE SCHOTTKY 1200V 2X30A TO-24
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor 50,000 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor 50,000 1200V 100A SOT-227 SIC SCHOTTKY
GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor 50,000 1700V 150A SOT-227 SIC SCHOTTKY