HYB25D512800CE-5

Изготовитель Деталь №
HYB25D512800CE-5
Производитель
-
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
категория продукта :
объем памяти
Access Time :
-
Clock Frequency :
200 MHz
Memory Format :
DRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (64M x 8)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
0°C ~ 70°C (TA)
Part Status :
Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package :
66-TSOP II
Technology :
SDRAM - DDR
Voltage - Supply :
2.3V ~ 2.7V
Write Cycle Time - Word, Page :
-
Спецификации
HYB25D512800CE-5

Товары, связанные с производителем

  • Future Technology Devices International, Ltd.
    MOD USB FLASH DRIVE INTERFACE
  • Mallory Sonalert Products
    GASKET NEMA 4X FOR 1SC SERIES
  • Knowles
    ACOUSTIC DAMPER BROWN 1000OHMS
  • Knowles
    ACOUSTIC DAMPER 680 OHMS
  • Knowles
    ACOUSTIC DAMPER GRAY 330 OHMS

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
HYB25D512800CE-6 - 17,190 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
HYB25L512160AC-7.5 Rochester Electronics 50,000 SYNCHRONOUS DRAM, 32MX16, 8NS
HYB25L512160AC-7.5 REEL Rochester Electronics 50,000 SYNCHRONOUS DRAM, 32MX16, 8NS