ES1B-13-F

Изготовитель Деталь №
ES1B-13-F
Производитель
Diodes Incorporated
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
Diodes Incorporated
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
1A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 100 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
DO-214AC, SMA
Part Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
25 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
SMA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
920 mV @ 1 A
Спецификации
ES1B-13-F

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
ES1B onsemi 1,737,720 DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
ES1B Rochester Electronics 1,605,000 DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
ES1B DComponents 50,000 SF Rect, 100V, 1.00A, 15ns
ES1B 10-70C Omron Automation 50,000 THERMOSENS IR 12-24V 10-70DEG C
ES1B 115-165C Omron Automation 50,000 THERMOSENS IR 12-24V 115-165DEGC
ES1B 140-260C Omron Automation 50,000 THERMOSENS IR 12-24V 140-260DEGC
ES1B 60-120C Omron Automation 50,000 THERMOSENS IR 12-24V 60-120DEG C
ES1B M2G Taiwan Semiconductor 50,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B R3G Taiwan Semiconductor 50,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B-13 Diodes Incorporated 50,000 DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
ES1B-E3/5AT Vishay 340,770 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B-E3/61T Vishay 50,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B-F1-0000HF YANGJIE 50,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
ES1B-HF Comchip Technology 50,000 RECTIFIER SUPER FAST RECOVERY 10
ES1B-LTP Micro Commercial Components (MCC) 50,000 DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC