D850N30TXPSA1

Изготовитель Деталь №
D850N30TXPSA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
DIODE GEN PURP 3KV 850A
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Диоды - Выпрямители - Одиночные
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
850A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 mA @ 3000 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Chassis Mount
Operating Temperature - Junction :
-40°C ~ 160°C
Package / Case :
DO-200AB, B-PUK
Part Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
3000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.28 V @ 850 A
Спецификации
D850N30TXPSA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
D850-15I US-Lasers, Inc. 50,000 LASER DIODE 850NM 15MW TO18
D8505I US-Lasers, Inc. 50,000 LASER DIODE 850NM 5MW TO18
D850N28TXPSA1 Infineon Technologies 50,000 DIODE GEN PURP 2.8KV 850A
D850N32TXPSA1 Infineon Technologies 50,000 DIODE GEN PURP 3.2KV 850A
D850N34TXPSA1 Infineon Technologies 50,000 DIODE GEN PURP 3.4KV 850A
D850N36TXPSA1 Infineon Technologies 50,000 DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
D850N40TXPSA1 Infineon Technologies 50,000 DIODE GEN PURP 4KV 850A