HN4B01JE(TE85L,F)
- Изготовитель Деталь №
- HN4B01JE(TE85L,F)
- Производитель
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Пакет/Чехол
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
* Количество
Запросить предложение (RFQ)
- * Контактное лицо:
- * Компания:
- * Эл. почта:
- * Телефон:
- * Комментарий:
- * Капча:
-
- Производитель :
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- категория продукта :
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 150mA
- Current - Collector Cutoff (Max) :
- 100nA (ICBO)
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 120 @ 10MA, 100MA
- Frequency - Transition :
- 80MHz
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- SOT-553
- Part Status :
- Active
- Power - Max :
- 100mW
- Supplier Device Package :
- ESV
- Transistor Type :
- NPN, PNP (Emitter Coupled)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
- 250mV @ 10mA, 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 50V
- Спецификации
- HN4B01JE(TE85L,F)
Товары, связанные с производителем
Каталог сопутствующих товаров
Сопутствующие товары
| Часть | Производитель | Запас | Описание |
|---|---|---|---|
| HN4B04J(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 50,000 | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV |