BD277

Изготовитель Деталь №
BD277
Производитель
Rochester Electronics
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
Rochester Electronics
категория продукта :
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные
Current - Collector (Ic) (Max) :
7 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
30 @ 1.75A, 2V
Frequency - Transition :
10MHz
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Part Status :
Active
Power - Max :
70 W
Supplier Device Package :
TO-220
Transistor Type :
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
500mV @ 100mA, 1.75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
45 V
Спецификации
BD277

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
BD27400GUL-E2 ROHM Semiconductor 22,550 IC AMP CLASS D MONO 2.5W 9VCSP