MW6S004NT1

Изготовитель Деталь №
MW6S004NT1
Производитель
Rochester Electronics
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFE
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
Rochester Electronics
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - RF
Current - Test :
-
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
-
Gain :
-
Noise Figure :
-
Package / Case :
-
Part Status :
Active
Power - Output :
-
Supplier Device Package :
-
Transistor Type :
-
Voltage - Rated :
-
Voltage - Test :
-
Спецификации
MW6S004NT1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • CEL (California Eastern Laboratories)
    RF MOSFET PHEMT FET 2V
  • CEL (California Eastern Laboratories)
    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
  • Mini-Circuits
    RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
  • Ampleon
    RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
  • STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
MW6S-26P TE Connectivity Aerospace Defense and Marine 50,000 RELAY RF 26P 6GHZ SENSITIVE
MW6S004NT1 NXP Semiconductors 10,750 FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
MW6S010GMR1 NXP Semiconductors 50,000 FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
MW6S010GNR1 Rochester Electronics 50,000 RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE
MW6S010GNR1 NXP Semiconductors 50,000 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
MW6S010MR1 NXP Semiconductors 50,000 FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
MW6S010NR1 NXP Semiconductors 50,000 FET RF 68V 960MHZ TO270-2