
A3I35D025NR1
- Изготовитель Деталь №
- A3I35D025NR1
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Пакет/Чехол
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
* Количество


Запросить предложение (RFQ)
- * Контактное лицо:
- * Компания:
- * Эл. почта:
- * Телефон:
- * Комментарий:
- * Капча:
-
- Производитель :
- NXP Semiconductors
- категория продукта :
- Транзисторы - FET, MOSFET - RF
- Current - Test :
- -
- Current Rating (Amps) :
- -
- Frequency :
- 3.2GHz ~ 4GHz
- Gain :
- 27.8dB
- Noise Figure :
- -
- Package / Case :
- TO-270-17 Variant, Flat Leads
- Part Status :
- Obsolete
- Power - Output :
- 3.4W
- Supplier Device Package :
- TO-270WB-17
- Transistor Type :
- LDMOS
- Voltage - Rated :
- 28 V
- Voltage - Test :
- -
- Спецификации
- A3I35D025NR1
Товары, связанные с производителем
Каталог сопутствующих товаров
Сопутствующие товары
Часть | Производитель | Запас | Описание |
---|---|---|---|
A3I35D012WGNR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
A3I35D012WNR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
A3I35D025GNR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
A3I35D025WGNR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
A3I35D025WNR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |