A3I35D025NR1

Изготовитель Деталь №
A3I35D025NR1
Производитель
NXP Semiconductors
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
NXP Semiconductors
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - RF
Current - Test :
-
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
3.2GHz ~ 4GHz
Gain :
27.8dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
TO-270-17 Variant, Flat Leads
Part Status :
Obsolete
Power - Output :
3.4W
Supplier Device Package :
TO-270WB-17
Transistor Type :
LDMOS
Voltage - Rated :
28 V
Voltage - Test :
-
Спецификации
A3I35D025NR1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • CEL (California Eastern Laboratories)
    RF MOSFET PHEMT FET 2V
  • CEL (California Eastern Laboratories)
    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
  • Mini-Circuits
    RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
  • Ampleon
    RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
  • STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
A3I35D012WGNR1 NXP Semiconductors 50,000 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors 50,000 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A3I35D025GNR1 NXP Semiconductors 50,000 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
A3I35D025WGNR1 NXP Semiconductors 50,000 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
A3I35D025WNR1 NXP Semiconductors 50,000 AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR