F4200R17N3E4BPSA1

Изготовитель Деталь №
F4200R17N3E4BPSA1
Производитель
Infineon Technologies
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
IGBT MOD 1700V 200A 20MW
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
Infineon Technologies
категория продукта :
Транзисторы - БТИЗ - Модули
Configuration :
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) :
200 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
1 mA
IGBT Type :
Trench Field Stop
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
18 nF @ 25 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Part Status :
Active
Power - Max :
20 mW
Supplier Device Package :
Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 200A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1700 V
Спецификации
F4200R17N3E4BPSA1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
F4200R06KL4BOSA1 Rochester Electronics 50,000 LOW POWER ECONO
F4200R06KL4BOSA1 Infineon Technologies 50,000 IGBT MOD 600V 225A 695W
F4200R12N3H3FB11BPSA1 Infineon Technologies 50,000 LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-411
F4200R17N3E4B58BPSA1 Infineon Technologies 50,000 LOW POWER ECONO AG-ECONO3B-411
F420WB-A Energizer Battery Company 50,000 HEADLIGHT KRYPTON 51LM AA(4)