UJ3N120065K3S

Изготовитель Деталь №
UJ3N120065K3S
Производитель
UnitedSiC
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
UnitedSiC
категория продукта :
Транзисторы - JFET
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
5 µA @ 1200 V
Current Drain (Id) - Max :
34 A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200 V
FET Type :
N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1008pF @ 100V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Part Status :
Active
Power - Max :
254 W
Resistance - RDS(On) :
55 mOhms
Supplier Device Package :
TO-247-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
1200 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
-
Спецификации
UJ3N120065K3S

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • NTE Electronics, Inc.
    JFET-P CHAN GEN PURP AMP
  • NTE Electronics, Inc.
    JFET-P-CH GEN PURP AF AMP
  • NTE Electronics, Inc.
    JFET-N-CH CHOPPER/SW
  • Rochester Electronics
    N-CHANNEL POWER MOSFET
  • onsemi
    JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
UJ3N065025K3S UnitedSiC 50,000 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UJ3N065080K3S UnitedSiC 50,000 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
UJ3N120035K3S UnitedSiC 50,000 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
UJ3N120070K3S UnitedSiC 50,000 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON