MMRF2006NT1
- Изготовитель Деталь №
- MMRF2006NT1
- Производитель
- NXP Semiconductors
- Пакет/Чехол
- -
- Техническая спецификация
- Скачать
- Описание
- IC AMP W-CDMA 1.8-2.17GHZ 24QFN
* Количество
Запросить предложение (RFQ)
- * Контактное лицо:
- * Компания:
- * Эл. почта:
- * Телефон:
- * Комментарий:
- * Капча:
-
- Производитель :
- NXP Semiconductors
- категория продукта :
- ВЧ усилители
- Current - Supply :
- 230mA
- Frequency :
- 1.8GHz ~ 2.17GHz
- Gain :
- 36dB
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Noise Figure :
- -
- P1dB :
- 43dBm
- Package / Case :
- 24-PowerQFN
- Part Status :
- Obsolete
- RF Type :
- W-CDMA
- Supplier Device Package :
- 24-PQFN (8x8)
- Test Frequency :
- 1.8GHz ~ 2.17GHz
- Voltage - Supply :
- 26V ~ 32V
- Спецификации
- MMRF2006NT1
Товары, связанные с производителем
Каталог сопутствующих товаров
Сопутствующие товары
| Часть | Производитель | Запас | Описание |
|---|---|---|---|
| MMRF1004GNR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 68V 2.17GHZ TO270G-2 |
| MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | 50,000 | RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 |
| MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780 |
| MMRF1005HSR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S |
| MMRF1006HR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | RF MOSFET LDMOS 50V NI-1230 |
| MMRF1006HR5 | Rochester Electronics | 50,000 | RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| MMRF1006HSR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S |
| MMRF1007HR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 |
| MMRF1007HSR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S |
| MMRF1008GHR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER |
| MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 |
| MMRF1008HSR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
| MMRF1009HR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S |
| MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S |
| MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors | 50,000 | FET RF 100V 1.4GHZ |