STR2N2VH5

Fabricant :

STMicroelectronics

catégorie de produit :

Transistors - FET, MOSFET - Unique

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

2.3A (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

20 V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

2.5V, 4.5V

FET Feature :

-

FET Type :

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

4.6 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

367 pF @ 16 V

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

350mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

30mOhm @ 2A, 4.5V

Supplier Device Package :

SOT-23-3

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

±8V

Vgs(th) (Max) @ Id :

700mV @ 250µA (Min)