HAF1002-90STL-E

Fabricant :

Renesas Electronics Corporation

catégorie de produit :

Transistors - FET, MOSFET - Unique

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :

15A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss) :

60 V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :

4V, 10V

FET Feature :

-

FET Type :

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :

-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :

-

Mounting Type :

Surface Mount

Operating Temperature :

150°C (TJ)

Package / Case :

SC-83

Part Status :

Active

Power Dissipation (Max) :

50W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs :

90mOhm @ 7.5A, 10V

Supplier Device Package :

LDPAK

Technology :

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max) :

+3V, -16V

Vgs(th) (Max) @ Id :

-