MW6S010GNR1

Изготовитель Деталь №
MW6S010GNR1
Производитель
NXP Semiconductors
Пакет/Чехол
-
Техническая спецификация
Скачать
Описание
RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
* Количество

Запросить предложение (RFQ)

* Контактное лицо:
* Компания:
* Эл. почта:
* Телефон:
* Комментарий:
* Капча:
loading...
Производитель :
NXP Semiconductors
категория продукта :
Транзисторы - FET, MOSFET - RF
Current - Test :
125 mA
Current Rating (Amps) :
-
Frequency :
960MHz
Gain :
18dB
Noise Figure :
-
Package / Case :
TO-270BA
Part Status :
Active
Power - Output :
10W
Supplier Device Package :
TO-270-2 GULL
Transistor Type :
LDMOS
Voltage - Rated :
68 V
Voltage - Test :
28 V
Спецификации
MW6S010GNR1

Товары, связанные с производителем

Каталог сопутствующих товаров

  • CEL (California Eastern Laboratories)
    RF MOSFET PHEMT FET 2V
  • CEL (California Eastern Laboratories)
    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
  • Mini-Circuits
    RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
  • Ampleon
    RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
  • STMicroelectronics
    FET RF 40V 500MHZ PWRSO10

Сопутствующие товары

Часть Производитель Запас Описание
MW6S-26P TE Connectivity Aerospace Defense and Marine 50,000 RELAY RF 26P 6GHZ SENSITIVE
MW6S004NT1 NXP Semiconductors 10,750 FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
MW6S004NT1 Rochester Electronics 50,000 LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFE
MW6S010GMR1 NXP Semiconductors 50,000 FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
MW6S010GNR1 Rochester Electronics 50,000 RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE
MW6S010MR1 NXP Semiconductors 50,000 FET RF 68V 960MHZ TO-270-2
MW6S010NR1 NXP Semiconductors 50,000 FET RF 68V 960MHZ TO270-2